【k2387场效应管参数】K2387是一种常见的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路以及低电压驱动等场景。由于其良好的导通特性与较低的导通电阻，K2387在电子设计中具有较高的实用价值。以下是关于K2387场效应管的主要参数总结。
一、K2387场效应管主要参数总结
| 参数名称 | 参数值 | 说明 |
| 类型 | N沟道 | 增强型MOSFET |
| 最大漏源电压 | 60V | 漏极与源极之间允许的最大电压 |
| 最大栅源电压 | ±20V | 栅极与源极之间允许的最大电压 |
| 最大漏极电流 | 15A | 漏极允许通过的最大电流 |
| 导通电阻（Rds(on)） | 0.045Ω | 在特定条件下漏极与源极之间的电阻 |
| 热阻（θjc） | 1.5℃/W | 芯片到外壳的热阻 |
| 工作温度范围 | -55℃ ~ +150℃ | 正常工作温度范围 |
| 封装类型 | TO-252 | 常见的表面贴装封装方式 |
| 最大功率耗散 | 50W | 允许的最大功耗 |
二、应用特点
K2387具备以下优点：
- 低导通电阻：适用于高效率的开关应用；
- 高耐压能力：支持较高电压下的稳定运行；
- 宽工作温度范围：适合多种环境下的使用；
- 易于驱动：栅极驱动要求不高，适合通用电路设计。
在实际应用中，K2387常用于DC-DC转换器、电机驱动、LED照明控制及小型电源模块中。使用时需注意避免超过最大额定参数，以确保器件的长期稳定性与可靠性。
三、注意事项
- 在使用K2387时，应确保栅极驱动电压不超过±20V，防止击穿；
- 需根据实际负载情况选择合适的散热措施，避免过热损坏；
- 若用于高频开关电路，建议关注其开关速度和寄生电容参数。
综上所述，K2387是一款性能优良的N沟道MOSFET，适用于多种电力电子应用场景。合理选择和使用该器件，可以有效提升电路的效率与稳定性。
